คำว่า "หน่วยความจำแฟลช" คือตอนนี้บนริมฝีปากของทุกคน คำว่า "แฟลชไดรฟ์" แม้ครั้งแรกปะทะคารมในการสนทนามักจะใช้ เทคโนโลยีนี้ด้วยความเร็วที่ได้รับความนิยมอย่างไม่น่าเชื่อ นอกจากนี้นักวิเคราะห์หลายคนคาดการณ์ว่าในที่อยู่ใกล้กับหน่วยความจำแฟลชในอนาคตจะเปลี่ยนอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลบนพื้นฐานของดิสก์แม่เหล็ก สิ่งที่ยังคงเป็นเพียงการสังเกตความคืบหน้าการพัฒนาและผลประโยชน์ของตน น่าแปลกที่หลาย ๆ คนพูดของผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ไม่รู้ว่าเกือบเช่นหน่วยความจำแฟลช ในมือข้างหนึ่ง, ผู้ใช้ต้องการอุปกรณ์ที่ทำงานและวิธีการที่จะทำหน้าที่ของมัน - เรื่องเล็ก ๆ น้อย ๆ แต่จะมีอย่างน้อยความเข้าใจพื้นฐานที่จำเป็นเพื่อให้ทุกคนได้รับการศึกษา
หน่วยความจำแฟลชคืออะไร?
ที่คุณรู้ว่าคอมพิวเตอร์มีหลายประเภทของอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูล: โมดูลหน่วยความจำฮาร์ดไดรฟ์และ ไดรฟ์ออปติคอล สุดท้ายทั้งสอง - มันแก้ปัญหาไฟฟ้า แต่ RAM - อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์อย่างเต็มที่ คือชุดของทรานซิสเตอร์บนชิปประกอบชิปพิเศษ ความผิดปกติของมันอยู่ในความเป็นจริงที่ว่าข้อมูลจะถูกเก็บไว้ได้นานเท่าที่ขั้วไฟฟ้าฐานของปุ่มควบคุมแต่ละคนจะได้ลุ้น ขณะนี้เราภายหลังใช้เวลามองใกล้ หน่วยความจำแฟลชไร้ข้อบกพร่องนี้ ปัญหาการจัดเก็บค่าใช้จ่ายโดยไม่ต้องมีแรงดันภายนอกแก้ไขได้โดยใช้ลอยทรานซิสเตอร์ประตู ในกรณีที่ไม่มีค่าใช้จ่ายอิทธิพลภายนอกในอุปกรณ์ดังกล่าวจะถูกเก็บไว้เป็นเวลานานพอสมควร (อย่างน้อย 10 ปี) ที่จะอธิบายหลักการของการดำเนินการมีความจำเป็นต้องจำ พื้นฐานของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์
อย่างไรทรานซิสเตอร์?
องค์ประกอบเหล่านี้ได้กลายเป็นที่ใช้กันอย่างแพร่หลายว่ามันเป็นเรื่องยากที่พวกเขาจะไม่ได้ใช้ แม้ดาษดื่น สวิตช์ไฟ บางครั้งตั้งกุญแจขับเคลื่อน วิธีการทำทรานซิสเตอร์คลาสสิกจัด? มันขึ้นอยู่กับวัสดุที่สองเซมิคอนดักเตอร์ซึ่งหนึ่งในนั้นมีการนำอิเล็กทรอนิกส์ (n), และหลุมอื่น ๆ (P) ที่จะได้รับทรานซิสเตอร์ง่ายมันเป็นสิ่งจำเป็นที่จะรวมวัสดุเช่น NPN และแต่ละบล็อกปลั๊กขั้วไฟฟ้า อิเล็กโทรดที่มากหนึ่ง (อีซีแอล) มีการใช้ไฟฟ้า พวกเขาสามารถควบคุมได้โดยการเปลี่ยนขนาดของที่มีศักยภาพในการส่งออกเฉลี่ย (ฐาน) ที่เกิดขึ้นในการกำจัดสะสม - รายชื่อผู้ติดต่อที่รุนแรงที่สาม เป็นที่ชัดเจนว่ามีการหายตัวไปของแรงดันไฟฟ้าฐานจะกลับไปยังรัฐที่เป็นกลาง แต่อุปกรณ์ทรานซิสเตอร์กับลอยประตู fleshek พื้นฐานแตกต่างกันเล็กน้อย: ด้านหน้าของฐานวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ที่มีการวางชั้นบาง ๆ ของอิเล็กทริกและประตูลอย - ร่วมกันพวกเขาในรูปแบบที่เรียกว่า "กระเป๋า" เมื่อใช้แรงดันบวกกับฐานของทรานซิสเตอร์ที่จะเปิดโดยผ่านปัจจุบันที่สอดคล้องกับตรรกะที่ศูนย์ แต่ถ้าประตูที่จะนำเดียว ค่าใช้จ่าย (อิเล็กตรอน) สาขาของตนเป็นกลางผลของฐานอาคาร - อุปกรณ์ที่จะปฏิเสธที่จะปิด (หน่วยตรรกะ) โดยการวัดแรงดันไฟฟ้าระหว่างอีซีแอลและนักสะสมที่สามารถตรวจสอบการแสดงตน (หรือไม่มี) ค่าใช้จ่ายในประตูลอย วางค่าใช้จ่ายในประตูโดยใช้ ผลอุโมงค์ (ฟาวเลอร์ - Nordheim) ในการลบความจำเป็นในการที่จะทำให้ค่าใช้จ่ายสูง (9) แรงดันลบและฐานบวกกับอีซีแอล ค่าใช้จ่ายที่จะออกจากประตู เนื่องจากเทคโนโลยีที่พัฒนาอย่างต่อเนื่องจะได้รับการเสนอให้รวมศูนย์รวมและทรานซิสเตอร์ธรรมดากับประตูลอย นี้ได้รับอนุญาต "ลบ" เรียกเก็บแรงดันต่ำและผลิตอุปกรณ์ขนาดกะทัดรัดมากขึ้น (ไม่จำเป็นต้องแยก) หน่วยความจำ USB แฟลชใช้หลักการนี้ (โครงสร้าง NAND)
ดังนั้นโดยรวมทรานซิสเตอร์เหล่านี้ในบล็อกที่มันเป็นไปได้ที่จะสร้างหน่วยความจำที่ข้อมูลที่บันทึกไว้จะถูกเก็บไว้ในทางทฤษฎีโดยไม่มีการเปลี่ยนแปลงมานานหลายทศวรรษ บางทีอาจจะเป็นข้อเสียเปรียบเพียงของแฟลชไดรฟ์ที่ทันสมัย - จำนวนของขีด จำกัด เขียนรอบ